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特别要注意的是,当栅极—发射极开路时,如果集电极与发射极间有高电压,可能会导致IGBT过热甚至损坏。为防止这种情况,应确保在栅极与发射极间串联一只约10KΩ的...
2. 工作阶段:IGBT在工作时,通过控制其栅极电压,可以调节电流从集电极到发射极的导通。当栅极电压施加时,形成一个电子通道,使电流能够流过。3. 驱动模块:由于...
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的...
IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数: 栅极发极间电压(符号:VGES ):集电极、发射极间短路时的栅极,发射极间最大电压。IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块的参数:...
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动...
首先,逆变器的作用是将交流电变为直流电,然后用电子元件对直流电进行开关,变为交流电。工作过程一般分为整流电路...
IGBT代表绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是一种功率半导体器件,结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和双极型晶体管的特...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模块是一种功率半导体设备,它将MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的输入特性和双极型晶体管的高电流承受能力相...
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